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英特爾：晶圓面積補償了90奈米的製程成本
設計專欄, IC設計, 生產專欄, 晶圓級加工
上網時間：2004年02月17日

在日前舉行的Globalpress處理器技術高峰會上，英特爾公司加州技術和製造中心副總裁兼主管Edward So表示，300mm晶圓由於表面面積更大，將可彌補加工複雜性和90奈米製程所產生的較高成本之問題。 他指出，分析師經常把注意力放在新蓋一座晶圓廠的昂貴費用上，而沒有意識到「晶圓面積增加補償了處理製程的複雜性」。90奈米、65奈米和45奈米CMOS處理製程，是這次由EE Times總編Brian Fuller主持的高峰會上討論的重點。與會者拒絕揣測哪家公司90奈米處理製程月產能起點就是5,000或10,000片晶圓。 然而，德州儀器副總裁Julie England卻証實，絕大部份公司的90奈米新製程的初其階段之產量過大，她表示德州儀器公司的剛開始階段，90奈米晶圓月產能起點為每月1,000到5,000片。 現在，許多公司的65奈米處理製程正試生產階段，45奈米製程也已經擺上討論的時程表中。應用材料公司前段工具技術長Gregg Higashi表示，主要的半導體廠商已經開始在45奈米製程上進行投資研發。 另外，專題演講人SONY公司諮詢顧問Tsugio Makimoto則談到，機器人技術將會帶來「第四波」推動IC設計技術浪潮。

此文章源自《電子工程專輯》网站： http://www.eettaiwan.com/article_content.php3?article_id=8800329852